STP4N62K3技术参数详情：
STP4N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-220通孔封装，核心特性在于其620V的高漏源击穿电压（Vdss）与低至1.95欧姆的导通电阻（Rds(on)）的优异组合，这使其在高压应用中能有效降低导通损耗。
器件在10V栅极电压驱动下，具备3.8A的连续漏极电流承载能力，最大功率耗散为70W。其较低的栅极电荷（14nC @10V）和输入电容有助于实现快速开关，减少开关损耗，提升整体电源效率。这些特性使其非常适用于开关电源、照明驱动及电机控制等中功率领域。
- 型号:STP4N62K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:620 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.95 欧姆 @ 1.9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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