STP4NB100

STP4NB100是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能PowerMESH产品系列。该器件核心规格突出，具备1000V的高漏源击穿电压（V_DSS）与3.8A的连续漏极电流（I_D）能力，专为应对高压环境设计。

其技术参数针对高效开关进行了优化，在10V栅极驱动下最大导通电阻（R_DS(on)）仅为4.4Ω，有助于降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Q_g）和输入电容（C_iss）特性有利于实现快速的开关切换，减少动态损耗。器件采用TO-220AB通孔封装，最大功耗125W，最高结温150°C，确保了在功率应用中的散热可靠性与长期稳定性。

• 型号:STP4NB100
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 3.8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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