STS4DPF20L

STS4DPF20L是ST意法半导体推出的一款采用8-SOIC封装的表面贴装型双P沟道MOSFET阵列，隶属于STripFET产品系列。该器件集成了两个逻辑电平门控的P沟道MOSFET，每个通道具备20V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id）处理能力。

其核心优势在于优异的开关性能与驱动便利性。器件具有低至80毫欧（@10V Vgs, 2A Id）的导通电阻，能显著降低导通损耗。同时，最大2.5V的栅极阈值电压使其可直接由3.3V或5V逻辑电路驱动，而16nC（@5V）的低栅极电荷则确保了快速的开关速度。这些特性使其成为空间和能效敏感型应用中理想的紧凑型功率开关解决方案。

• 型号:STS4DPF20L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16nC @ 5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.6W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
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