STB10NK60Z-1技术参数详情：
STB10NK60Z-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用I2PAK通孔封装，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件核心规格为600V漏源电压（Vdss）和10A连续漏极电流，在高压开关应用中提供了坚实的性能基础。
其技术亮点在于优异的导通特性，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至750毫欧，配合70nC的较低栅极电荷（Qg），共同确保了较低的传导损耗和开关损耗，有助于提升系统整体效率。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，并具备115W的功率耗散能力，适用于要求高可靠性的功率转换场景。
- 型号:STB10NK60Z-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:I2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:115W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:I2PAK
- 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
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