STP4NK60ZFP

STP4NK60ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心规格包括600V的漏源电压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id），提供了坚实的电压与电流处理能力。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的优异结合。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为2欧姆，有助于降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大26nC）和输入电容（Ciss）确保了高效的开关性能，减少了驱动损耗并支持更高的工作频率。器件采用TO-220FP绝缘封装，最大结温为150°C，适合要求高可靠性和良好散热性能的工业级与消费类电源设计。

• 型号:STP4NK60ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:510 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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