STP50NF25技术参数详情：
STP50NF25是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于250V的漏源电压（Vdss）和45A的连续漏极电流处理能力，为中等功率应用提供了坚实的电压与电流余量。
该器件基于STripFET技术，实现了优异的导通与开关性能平衡。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动下典型值低至69毫欧，能显著降低导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容参数确保了快速的开关瞬态响应，有助于提升开关电源等系统的效率和频率性能。
- 型号:STP50NF25
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 250V 45A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:250 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69 毫欧 @ 22A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68.2 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2670 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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