


STP52N25M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET,隶属于其高性能的MDmesh V产品系列。该器件采用TO-220封装,核心优势在于其250V的漏源电压(Vdss)和28A的高连续漏极电流(Id)处理能力,为中等功率应用提供了坚实的电压与电流基础。
其技术亮点包括极低的导通电阻,在10V Vgs、14A Id条件下Rds(on)最大值仅为65毫欧,这显著降低了导通状态下的功率损耗。同时,47nC的低栅极电荷(Qg)有助于实现高效率的快速开关,优化整体系统能效。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和功率转换系统中追求高可靠性与高效率设计的理想选择。
