STU8N65M5技术参数详情：
STU8N65M5是ST意法半导体基于MDmesh V技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）与低至600毫欧（最大值，@10V， 3.5A）的导通电阻（Rds(on)），实现了高压应用下导通损耗的有效控制。
同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为15nC（@10V），有助于实现快速开关并降低驱动损耗。该器件采用I-PAK通孔封装，在Tc条件下额定连续漏极电流为7A，最大功率耗散达70W，结温最高可至150°C，适用于对效率和可靠性有较高要求的功率开关场景。
- 型号:STU8N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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