STP57N65M5技术参数详情：
STP57N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh V产品系列。该器件采用TO-220封装，核心规格包括650V的漏源电压（Vdss）和42A的连续漏极电流（Id），为高压大电流应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于实现了低导通电阻与优异开关性能的平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至63毫欧 @ 21A，能有效降低导通损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大98nC）确保了快速的开关速度，有助于提升系统效率和工作频率。这些特性使其成为高性能开关电源、电机驱动和工业逆变器等应用的理想功率开关解决方案。
- 型号:STP57N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 42A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 21A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:98 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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