STP5N52K3技术参数详情：
STP5N52K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其525V的高漏源电压（Vdss）额定值，结合优化的导通电阻，为高压开关应用提供了可靠的性能基础。
其电气参数显示，在壳温条件下可支持4.4A的连续电流，最大功耗70W。优化的栅极电荷（典型值14nC @10V）有助于实现较低的开关损耗，提升系统效率。该器件设计用于要求高耐压和高效开关的场合，如开关电源和电机控制。
- 型号:STP5N52K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:525 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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