STP5N95K5技术参数详情：
STP5N95K5是ST意法半导体SuperMESH5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心优势在于高达950V的漏源电压额定值与优化的低导通电阻（2.5Ω @1.5A, 10V）相结合，为高压开关应用提供了出色的稳健性和效率。
该器件具备3.5A的连续漏极电流能力和极低的栅极电荷（12.5nC @10V），这有助于实现快速开关并降低开关损耗。其设计支持10V标准驱动，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，使其成为工业级AC-DC电源、PFC电路和照明系统等高要求应用的理想功率开关解决方案。
- 型号:STP5N95K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:950 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:220 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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