STP60N55F3

STP60N55F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件设计用于处理高达80A的连续漏极电流（Tc），并具备55V的漏源击穿电压（Vdss），为中等电压、大电流应用提供了坚实的保障。

其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、32A Id条件下，Rds(on)最大值仅为8.5mΩ，这能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg最大值45nC @10V）确保了快速的开关特性，有利于提升系统效率和工作频率。这些特性使其成为电机驱动、电源转换（如同步整流）和各类功率开关电路的理想选择。

• 型号:STP60N55F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 32A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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