STP60NE06-16技术参数详情：
STP60NE06-16是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装。其核心电气参数定义了其在功率开关应用中的价值：60V的漏源电压和60A的连续漏极电流提供了坚实的功率处理基础。
该器件的关键优势在于其极低的导通损耗，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至16毫欧@30A。同时，160nC的栅极电荷和175°C的最大工作结温，共同确保了其在高速开关与高温环境下的可靠性与效率，适用于电机驱动、电源转换等要求高电流、低损耗的场合。
- 型号:STP60NE06-16
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:16 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:160 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6200 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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