STP11NK50ZFP技术参数详情：
STP11NK50ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220FP绝缘封装，核心参数包括500V的漏源电压（Vdss）和10A（Tc）的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于通过优化的设计实现了较低的导通电阻与栅极电荷，这有助于降低功率损耗并提升开关效率。器件支持宽范围的工作结温（-55°C至150°C），确保了在苛刻环境下的稳定性和耐用性，适用于要求高可靠性的工业与消费类电源设计。
- 型号:STP11NK50ZFP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:520 毫欧 @ 4.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1390 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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