STP60NF03L技术参数详情：
STP60NF03L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装。其核心优势在于结合了高达60A的连续漏极电流处理能力与极低的导通电阻（典型值10毫欧@10V, 30A），这得益于其STripFET技术，能显著降低功率应用中的传导损耗。
该器件具备良好的栅极驱动特性，栅极阈值电压低至2.5V（最大值），使其易于被标准逻辑电平驱动，同时其优化的栅极电荷有助于实现快速的开关切换。其30V的漏源电压（Vdss）和高达175°C的工作结温，确保了其在低压高电流开关应用，如DC-DC转换、电机控制和电源管理中的可靠性与稳定性。
- 型号:STP60NF03L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 60A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:58 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2550 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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