STFI15N60M2-EP

STFI15N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件采用TO-281（I2PAKFP）通孔封装，核心特性包括600V的漏源电压（V_DSS）和11A的连续漏极电流（I_D）处理能力。

其技术优势主要体现在优异的开关性能与低导通损耗上。在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至378毫欧，同时栅极电荷（Q_g）仅为17nC，这共同保障了高效率的功率转换。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，适用于对可靠性要求严苛的工业环境。

• 型号:STFI15N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAKFP（TO-281）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:378 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAKFP（TO-281）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• 现在可以订购STFI15N60M2-EP，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。