STP6N120K3技术参数详情：
STP6N120K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH3产品系列。该器件核心优势在于其1200V的高漏源击穿电压（Vdss）和6A的连续漏极电流（Id）能力，专为处理高压大功率应用而设计。
其技术亮点包括在10V驱动下仅2.4欧姆的最大导通电阻，有助于降低导通损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关特性，有利于提升开关电源等应用的工作频率和效率。器件采用TO-220通孔封装，工作结温范围宽达-55°C至150°C，具备良好的散热性和环境适应性。
- 型号:STP6N120K3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1200V 6A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 欧姆 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1050 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
- 现在可以订购STP6N120K3，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
