STP6NK50Z

STP6NK50Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220AB通孔封装，核心电气规格包括500V的漏源击穿电压（Vdss）和5.6A的连续漏极电流（Id）处理能力。

其技术亮点在于通过优化的内部结构，实现了低导通电阻与快速开关特性的结合。在10V栅极驱动下，其导通电阻表现优异，有助于降低通态损耗。同时，较低的栅极电荷和输入电容参数有利于提升开关速度并简化驱动设计。器件工作结温范围宽达-55°C至150°C，具备良好的热稳定性。这些特性使其曾广泛应用于要求高效率和高可靠性的中功率开关电源、功率因数校正及电机控制等场景。

• 型号:STP6NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5.6A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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