STP6NK60ZFP技术参数详情：
STP6NK60ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220FP通孔封装，核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和6A的连续漏极电流（Tc），为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的良好平衡。在10V驱动电压下，其最大导通电阻（Rds(on)）仅为1.2欧姆（@3A），有效降低了导通损耗。同时，最大46nC的栅极电荷（Qg）有助于实现快速开关并简化驱动设计，从而提升系统整体效率。这些特性使其成为离线式电源、电机控制和工业功率转换等领域的理想选择。
- 型号:STP6NK60ZFP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:905 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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