SD56150技术参数详情：
SD56150是ST意法半导体生产的一款采用LDMOS技术的射频功率场效应晶体管（FET）。该器件设计用于860MHz频段，能够提供高达150W的射频输出功率，并具备16.5dB的高功率增益，适合作为大功率放大级的核心元件。
其65V的额定电压和17A的额定电流能力确保了强大的功率处理性能，而32V的测试电压点则标定了其稳定的工作区间。该芯片采用M252封装，兼顾了电气性能与散热需求，主要面向专业通信、广播发射等需要高效率、高线性度功率放成的应用领域。
- 型号:SD56150
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:M252
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 32V M252
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:860MHz
- 增益:16.5dB
- 电压 - 测试:32 V
- 额定电流（安培）:17A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:500 mA
- 功率 - 输出:150W
- 电压 - 额定:65 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:M252
- 供应商器件封装:M252
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