VNV10N07TR-E技术参数详情:
VNV10N07TR-E是ST意法半导体推出的一款单片集成智能高端开关,隶属于OMNIFET和VIPower系列。该器件集成了一个N沟道功率MOSFET、驱动逻辑及全面的保护功能于PowerSO-10封装内,其导通电阻低至100毫欧,可高效处理高达7A的负载电流,并承受最低55V的负载电压。
其核心优势在于内置的坚固保护特性,包括固定限流、超温关断和过压保护,能够有效应对短路、过热及电压瞬变等故障条件,极大增强了系统的鲁棒性。器件采用非反相开/关控制接口,兼容标准逻辑电平,且无需独立电源供电,显著简化了电路设计并节省了板级空间,非常适用于汽车车身控制、工业自动化等需要高可靠性开关解决方案的场合。
- ST意法半导体公司完整型号:VNV10N07TR-E
- 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
- 描述:IC PWR MOSFET M0 70V 10A PWRSO10
- 系列:OMNIFET, VIPower
- 开关类型:通用
- 输出数:1
- 比率 - 输入:输出:1:1
- 输出配置:低端
- 输出类型:N 通道
- 接口:开/关
- 电压 - 负载:55V(最小值)
- 电压 - 电源 (Vcc/Vdd):不需要
- 电流 - 输出(最大值):7A
- Rds (On):100 毫欧(最小值)
- 输入类型:非反相
- 特性:-
- 故障保护:限流(固定),超温,过压
- 工作温度:-
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
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