STP7NK40Z

STP7NK40Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220AB封装，核心参数包括400V的漏源电压（Vdss）和5.4A（Tc）的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于优异的导通与开关特性平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至1欧姆@2.7A，有助于最小化传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大26nC）和输入电容（Ciss，最大535pF）确保了快速的开关瞬态，有利于提升开关频率并降低动态损耗。这些特性共同指向高效、可靠的功率转换设计目标。

• 型号:STP7NK40Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP7NK40Z，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。