STP80N10F7技术参数详情：
STP80N10F7是ST意法半导体基于STripFET VII技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心优势在于100V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流承载能力，结合极低的10毫欧导通电阻（@10V，40A），能够显著降低功率应用中的传导损耗。
该器件同时具备优化的开关性能，最大栅极电荷仅为45nC，有助于实现高效率的快速开关操作，减少开关损耗。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和110W的功率耗散能力，确保了在严苛环境下的高可靠性。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和DC-DC转换等中高功率密度应用的理想选择。
- 型号:STP80N10F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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