STFW40N60M2技术参数详情：
STFW40N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus系列。该器件采用先进的超结技术，在600V的漏源电压下，实现了低至88毫欧（@10V，17A）的导通电阻与仅57nC的栅极电荷，这一组合显著降低了导通与开关损耗，为高效率功率转换设定了基准。
其额定连续漏极电流高达34A（Tc），并采用ISOWATT-218FX通孔封装，确保了出色的电流处理能力与散热性能。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C）和±25V的栅极电压耐受能力，进一步保障了其在严苛工业环境及高频开关应用中的稳定性和设计灵活性。
- 型号:STFW40N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-3PF
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 34A ISOWATT
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:88 毫欧 @ 17A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:57 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:63W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-3PF
- 封装/外壳:TO-3P-3 整包
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