STP80N70F6

STP80N70F6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VI技术的产品系列。该器件设计用于高效处理高功率应用，其核心优势在于极低的导通损耗与良好的开关特性平衡。

该MOSFET额定漏源电压（Vdss）为68V，在25°C壳温下可承受高达96A的连续漏极电流（Id）。其最显著的技术亮点是在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）可低至8毫欧（@48A），这直接提升了系统的能源转换效率并减少了热耗散。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为99nC，有利于实现快速开关并简化驱动电路设计。

器件采用TO-220通孔封装，工作结温范围宽达-55°C至175°C，功率耗散能力为110W（Tc），确保了在 demanding 应用环境中的可靠性与耐久性。

• 型号:STP80N70F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 68V 96A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:68 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):96A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 48A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:99 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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