STP90N4F3

STP90N4F3是ST意法半导体STripFET III系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs、40A Id条件下典型值仅为6.5mΩ，能够显著降低高电流应用中的传导损耗。

该器件额定漏源电压（Vdss）为40V，连续漏极电流（Id）高达80A（Tc），并具备54nC的低栅极电荷（Qg），支持快速开关操作，有助于提升开关电源和电机驱动电路的效率。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的可靠性。

• 型号:STP90N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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