STP80NF55-08AG技术参数详情：
STP80NF55-08AG是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，属于通过AEC-Q101认证的Automotive级STripFET系列。其核心优势在于高达80A的连续漏极电流处理能力和低至8毫欧的导通电阻（@10V，40A），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。
该器件额定电压为55V，最大栅极电荷为112nC，支持快速开关操作。其宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C）和300W的最大功率耗散能力，确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性，非常适合要求高电流密度和高效能的应用场景。
- 型号:STP80NF55-08AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CHANNEL 55V 80A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:55 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:112 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3740 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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