STB15NM60ND

STB15NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II系列。该器件采用先进的超结技术，在600V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现了优异的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg）性能平衡。

其关键参数包括：在壳温25°C下连续漏极电流（Id）达14A，在10V驱动电压、7A电流条件下导通电阻最大值仅为299毫欧，同时栅极电荷最大值被控制在40nC。这些特性共同确保了器件在高压开关应用中兼具低传导损耗与快速开关能力，有助于提升整体电源转换效率。器件采用D2PAK表面贴装封装，最大功率耗散为125W（Tc），适用于对功率密度和散热有要求的紧凑型设计。

• 型号:STB15NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 14A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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