STP80NF55L-06技术参数详情：
STP80NF55L-06是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心卖点在于极低的导通电阻，在10V Vgs和40A Id条件下，Rds(on)最大值仅为6.5毫欧，能显著降低传导损耗，提升系统效率。
该器件具备55V的漏源电压和高达80A的连续漏极电流（Tc=25°C），功率处理能力强劲。其栅极电荷（Qg）最大值仅为136nC，阈值电压低，易于驱动并支持快速开关，有助于优化开关损耗。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）确保了其在各种环境下的可靠性，适用于要求严苛的功率开关应用。
- 型号:STP80NF55L-06
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:55 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:136 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4850 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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