STP80NF70技术参数详情：
STP80NF70是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装。该器件基于STripFET II技术，在68V的漏源电压（Vdss）和高达98A的连续漏极电流（Id）额定值下，提供了卓越的功率处理能力。
其核心优势在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动下典型值仅为9.8毫欧，这能显著降低导通损耗，提升系统效率。同时，较低的栅极电荷（75nC @10V）有利于实现快速的开关速度，减少开关损耗，适用于高频开关电源设计。该器件工作结温范围宽（-55°C ~ 175°C），热性能可靠，适用于要求严苛的工业与电源应用环境。
- 型号:STP80NF70
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 68V 98A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:68 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):98A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.8 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2550 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
- 现在可以订购STP80NF70，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
