STP85N3LH5

STP85N3LH5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的STripFET V系列。该器件采用TO-220AB封装，额定漏源电压（Vdss）为30V，在壳温条件下可支持高达80A的连续漏极电流，具备出色的电流承载能力。

其核心优势在于极低的功率损耗，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至5.4毫欧（@40A），能显著减少导通状态下的能量损失。同时，其最大栅极电荷（Qg）仅为14nC（@5V），确保了快速的开关速度和较低的驱动需求，优化了高频开关应用的性能。这些特性使其成为高效率电源转换、电机驱动和功率分配管理等应用的理想选择。

• 型号:STP85N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.4 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 现在可以订购STP85N3LH5，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。