STD7N52DK3

STD7N52DK3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperFREDmesh3产品系列。该器件采用DPAK封装，核心规格为525V漏源电压（Vdss）和6A连续漏极电流（Id），专为高效、可靠的功率开关应用而设计。

其技术优势在于实现了低导通电阻与快速开关特性的结合。在10V栅极驱动下具备较低的Rds(on)，有助于减少传导损耗；同时优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数，有利于降低驱动损耗并提升开关频率。这些特性使其成为提升开关电源和电机驱动系统效率的理想选择。

该器件支持表面贴装工艺，最大结温为150°C，功率处理能力达90W，为设计人员在高功率密度应用中提供了稳健的热性能基础。

• 型号:STD7N52DK3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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