STP8N120K5

STP8N120K5是ST意法半导体MDmesh K5系列中的一款高压N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。该器件核心优势在于其1200V的漏源电压（Vdss）和6A的连续漏极电流（Id）额定值，为高压应用提供了坚实的基础。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优异平衡。在10V栅极驱动下，导通电阻（RDS(on)）典型值仅为2Ω @ 2.5A，有助于降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg(max) = 13.7nC @ 10V）显著减少了开关损耗，有利于提升系统效率和工作频率。130W（Tc）的功率耗散能力与宽工作结温范围（-55°C ~ 150°C）确保了其在严苛环境下的稳定性和可靠性。

• 型号:STP8N120K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 6A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:505 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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