STP8N80K5

STP8N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件核心优势在于其800V的高漏源电压（Vdss）额定值与低至950毫欧的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在高压应用中能有效降低导通损耗，提升能效。

此外，其16.5nC的低栅极电荷（Qg）和优化的电容特性确保了快速的开关性能，有助于减少开关损耗并允许更高的工作频率。器件采用TO-220封装，最大功率耗散为110W（Tc），工作温度范围宽达-55°C至150°C，为各种严苛的工业电源和电机控制应用提供了可靠、高效的解决方案。

• 型号:STP8N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 800V 6A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
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