STP8N90K5技术参数详情：
STP8N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-220通孔封装，核心特性包括高达900V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id），专为高效的高压开关应用而设计。
其技术优势在于实现了高击穿电压与低导通损耗的优异结合，最大结温可达150°C，功率耗散能力为130W，确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和工业逆变器等高性能功率转换系统的理想选择。
- 型号:STP8N90K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:900 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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