STP8NK85Z

STP8NK85Z是意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其850V的高漏源电压（Vdss）与优化的低导通电阻（Rds(on)）特性，在10V栅极驱动下，典型导通电阻值仅为1.4欧姆，有效降低了功率传导损耗。

其设计兼顾了开关性能与鲁棒性，最大栅极电荷（Qg）为60nC，有助于实现高效的开关操作并简化驱动设计。器件采用TO-220AB封装，最大功耗可达150W，工作结温范围为-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。这些参数使其成为高压、高效率开关电源设计的理想选择。

• 型号:STP8NK85Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 850V 6.7A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:850 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 3.35A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1870 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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