STP8NS25

STP8NS25是ST意法半导体MESH OVERLAY系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装。该器件核心特性包括250V的漏源电压（Vdss）和8A的连续漏极电流（Id），为中等功率应用提供了坚实的电压与电流处理能力。

其关键性能优势体现在较低的导通电阻（450毫欧 @ 10V, 4A）与适中的栅极电荷（51.8nC @ 10V），这有助于降低通态损耗并平衡开关性能。器件支持高达150°C的工作结温，并具备80W的功率耗散能力，确保了在苛刻环境下的可靠性与散热效能。

• 型号:STP8NS25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:770 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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