STGWA40H65DFB技术参数详情：
STGWA40H65DFB是ST意法半导体推出的一款650V、80A沟槽型场截止IGBT单管，采用TO-247-3封装。该器件核心优势在于其优化的沟槽场截止技术，实现了低至2V（@15V，40A）的饱和压降与低开关能量的良好平衡，从而显著降低导通与开关损耗，提升系统能效。
其具备160A的脉冲电流处理能力和175°C的最高结温，确保了在恶劣工况下的高可靠性。标准输入类型与快速的开关特性（如62ns的反向恢复时间）使其易于驱动并适用于频率要求较高的功率转换场景，是工业电机驱动、变频及新能源逆变等中高功率应用的理想选择。
- 型号:STGWA40H65DFB
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247 长引线
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):160 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，40A
- 功率 - 最大值:283 W
- 开关能量:498J（导通），363J（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:210 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:40ns/142ns
- 测试条件:400V，40A，5 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):62 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3
- 供应商器件封装:TO-247 长引线
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