STP90N6F6技术参数详情：
STP90N6F6是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装。其核心卖点在于结合了60V的漏源电压（Vdss）与极低的导通电阻，在10V Vgs、38.5A Id条件下，Rds(on)最大值仅为6.8毫欧，这为高电流应用提供了卓越的导电效率和更低的热损耗。
该器件属于STripFET VI系列，应用了DeepGATE技术，在壳温（Tc）条件下可支持高达84A的连续漏极电流和136W的功率耗散。其栅极电荷（Qg）典型值为74.9nC，有助于实现快速开关，提升系统整体频率响应。这些特性使其非常适合用于高效率的电源转换和电机驱动等功率开关场景。
- 型号:STP90N6F6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 84A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):84A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.8 毫欧 @ 38.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:74.9 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4295 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
- 工作温度:175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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