STS11N3LLH5技术参数详情：
STS11N3LLH5是ST意法半导体推出的一款采用STripFET V技术的N沟道功率MOSFET，采用8-SO表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻与栅极电荷，在10V Vgs下Rds(on)典型值仅为14毫欧，最大栅极电荷为5nC，这共同确保了高效的功率传输与快速的开关响应，能有效降低系统功耗与热损耗。
该器件额定漏源电压为30V，连续漏极电流达11A，工作结温范围宽至-55°C ~ 150°C，具备良好的电气鲁棒性与环境适应性。这些参数使其成为低压、大电流开关应用的理想选择，尤其适用于空间受限且对效率要求较高的设计。
- 型号:STS11N3LLH5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:+22V，-20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:724 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.7W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
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