STP95N3LLH6

STP95N3LLH6是ST意法半导体基于STripFET VI技术制造的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。该器件核心优势在于其极低的导通电阻，在10V V_GS、40A I_D条件下，R_DS(on)最大值仅为4.7mΩ，能够显著降低传导损耗，提升系统效率。

同时，其栅极电荷（Q_g）较低，有利于实现快速开关并降低驱动损耗。器件额定参数为30V V_DSS和80A连续漏极电流（T_C条件下），结温高达175°C，具备强大的电流处理能力和高温工作可靠性，适用于要求严苛的功率开关应用。

• 型号:STP95N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.7 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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