STP9N65M2技术参数详情：
STP9N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-220封装，核心特性包括650V的高漏源电压（Vdss）和5A的连续漏极电流（Id）能力，为高压应用提供了坚实的基础。
其技术优势在于实现了低导通损耗，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为900毫欧。同时，器件具备较低的栅极电荷（Qg，最大值10nC）和输入电容，这有助于优化开关性能，减少开关损耗，提升系统整体效率。高达150°C的最大工作结温（TJ）和60W的功率耗散能力，确保了其在各类电源转换和电机控制应用中的长期可靠性。
- 型号:STP9N65M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 5A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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