STFU13N60M2

STFU13N60M2是ST意法半导体生产的一款有源、单N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP封装。作为晶体管-FET系列中的一员，其核心定位是为高压开关应用提供高效的功率处理能力。

该器件设计用于处理高达600V的漏源电压，适用于离线式电源转换等高压环境。其技术参数经过优化，旨在实现低导通损耗与快速开关性能的平衡，从而提升系统整体效率。TO-220FP封装提供了良好的功率耗散能力和安装便利性，适合需要电气隔离和有效热管理的应用场景。

• 型号:STFU13N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V TO-220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:580 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
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