STP9NK60ZD技术参数详情：
STP9NK60ZD是ST意法半导体SuperFREDmesh系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其600V的漏源击穿电压（Vdss）与低至950毫欧（@10V， 3.5A）的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这有效降低了导通损耗，提升了系统能效。
其栅极电荷（Qg）典型值较低，有利于实现高速开关并减少驱动损耗。器件采用TO-220AB封装，在壳温25°C下可支持7A的连续漏极电流，最大耗散功率达125W，工作结温范围宽至-55°C至150°C，确保了在各类电源转换应用中的可靠性与耐用性。
- 型号:STP9NK60ZD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1110 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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