STPLED524技术参数详情：
STPLED524是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。其核心优势在于高达525V的漏源击穿电压（Vdss）与4A的连续漏极电流（Id）能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。
该器件在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至2.6欧姆（@2.2A），有助于降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）小，开关速度快，能有效提升高频开关电源的效率。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在各种环境下的可靠性，适用于开关电源、电机驱动等高要求领域。
- 制造商产品型号：STPLED524
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 525V 4A TO220
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：525V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.6 欧姆 @ 2.2A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：340pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-220
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