STPLED627技术参数详情：
STPLED627是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220通孔封装。该器件核心优势在于其620V的高漏源电压（Vdss）与7A的连续漏极电流（Id）能力，为高压开关应用提供了坚实的基础。
其电气参数表现出色，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.2欧姆（@2.8A），有效降低了导通损耗。同时，最大35nC的低栅极电荷（Qg）有助于实现高效的开关性能并简化驱动设计。器件支持高达90W（Tc）的功率耗散，工作结温可达150°C，确保了在严苛环境下的长期运行可靠性。
- 制造商产品型号：STPLED627
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 620V 7A TO220
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：620V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：7A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：890pF @ 50V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：90W（Tc）
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-220
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