STPSC10H065D技术参数详情：
STPSC10H065D是ST意法半导体推出的一款650V/10A碳化硅肖特基二极管，采用TO-220AC封装。该器件的核心价值在于利用碳化硅材料特性，实现了零反向恢复时间（trr=0ns），彻底消除了开关过程中的反向恢复损耗与相关噪声，适用于高频开关应用。
其电气参数表现均衡，在10A正向电流下典型正向压降仅为1.75V，确保了较低的导通损耗。同时，高达650V的直流反向耐压和优异的高温反向泄漏特性（100A @ 650V）为系统提供了稳健的电压阻断能力。这些特性使其成为提升开关电源、光伏逆变器及电动汽车充电设备效率与功率密度的理想选择。
- 型号:STPSC10H065D
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220AC
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
- 电流 - 平均整流 (Io):10A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 10 A
- 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 650 V
- 不同Vr、F 时电容:480pF @ 0V，1MHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-2
- 供应商器件封装:TO-220AC
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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