STPSC10H065DI技术参数详情：
STPSC10H065DI是ST意法半导体推出的一款650V/10A碳化硅肖特基二极管，采用TO-220AC绝缘封装。其核心优势在于利用碳化硅材料特性，实现了极低的反向恢复电荷与快速开关性能，开关速度满足快速恢复（<500ns）要求，能显著降低高频应用中的开关损耗。
该器件在10A电流下的典型正向压降仅为1.75V，导通损耗低，同时具备高达650V的直流反向耐压与低至100A@650V的反向漏电流，确保了高效与稳定的阻断能力。这些特性使其成为提升功率转换系统效率、频率和功率密度的关键元件，尤其适用于高效率电源、太阳能逆变器及电动汽车充电设备等前沿领域。
- 型号:STPSC10H065DI
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220AC ins
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SIC 650V 10A TO220AC INS
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
- 电流 - 平均整流 (Io):10A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 10 A
- 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):-
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 650 V
- 不同Vr、F 时电容:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-2 绝缘，TO-220AC
- 供应商器件封装:TO-220AC ins
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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