STPSC10H065DLF技术参数详情：
STPSC10H065DLF是意法半导体基于碳化硅技术制造的一款650V/10A肖特基势垒二极管。该器件采用PowerFlat HV表面贴装封装，专为要求高效率和高功率密度的应用而设计。
其核心优势在于碳化硅材料带来的本质特性：零反向恢复时间（trr）和零反向恢复电荷（Qrr），这从根本上消除了传统硅二极管在高速开关时产生的损耗和噪声。同时，它在10A电流下的正向压降仅为1.55V，并在650V额定电压下保持极低的反向漏电流，确保了优异的导通和阻断性能。
这些特性使其成为高频开关电源、光伏逆变器、电动汽车电驱和充电系统等先进功率转换方案的理想选择，能够显著提升系统效率、开关频率并减小磁性元件尺寸。
- 型号:STPSC10H065DLF
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFlat（8x8）HV
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SIC 650V 10A POWERFLAT HV
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
- 电流 - 平均整流 (Io):10A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.55 V @ 10 A
- 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 650 V
- 不同Vr、F 时电容:595pF @ 0V，1MHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:-
- 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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