STPSC10H065G-TR技术参数详情：
STPSC10H065G-TR是ST意法半导体生产的一款650V/10A碳化硅肖特基二极管，采用DPAK表面贴装封装。该器件利用碳化硅材料的宽禁带特性，实现了近乎零反向恢复时间（0ns）的卓越开关性能，从根本上消除了传统硅二极管因反向恢复电荷导致的开关损耗和噪声问题。
其核心电气参数包括：在10A正向电流下典型正向压降为1.75V，确保了较低的导通损耗；在650V反向电压下漏电流仅为100A，提供了高温下稳定的阻断能力。这些特性使其成为追求高效率、高频率和高可靠性的功率转换应用的理想选择。
- 型号:STPSC10H065G-TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
- 电流 - 平均整流 (Io):10A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 10 A
- 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 650 V
- 不同Vr、F 时电容:480pF @ 0V，1MHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- 供应商器件封装:D2PAK
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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